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一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法

一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法

发明人：

黄海宾韩宇哲岳之浩周浪

申请人：

南昌大学

摘要：

一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法，主要步骤是以低温化学气相沉积或物理气相沉积的方法在硅片表面制备一层掺杂原子浓度精确可控的氧化硅薄膜作为扩散源，在空气气氛中进行高温扩散，最后以HF去除残留的扩散源。可得到方阻在60-600Ω/□内精确可控的n型和p型扩散硅层，且方阻在硅片表面的分布均匀性优于太阳电池产业现行扩散技术所得产品。可进一步扩展扩散技术在太阳电池领域的应用范围，提高太阳电池的性能。

基本信息

专利类型	发明
申请(专利)号	CN201610210064.3	申请日	2016-04-07
授权公布号	CN105702809A	授权公告日	2016-06-22
申请人	南昌大学
地址	江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
发明人	黄海宾韩宇哲岳之浩周浪
分类号	H01L31/18(2006.01) H01L21/225(2006.01)	主分类号	H01L31/18(2006.01)
国省代码	江西	页数	5
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司
代理人	施秀瑾

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019.04.02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 31/18申请公布日:20160622
2016.07.20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20160407
2016.06.22	公开	公开

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