用于掩模修复的耐用金属膜沉积

发明人:
摘要:
本发明提供了修复半导体掩模的方法和工具。方法包括以下步骤:将半导体掩模置于包括修复工具的修复室中;向修复室提供第一气体和第二气体。第一气体包括用于修复掩模上的缺陷的修复材料,并且第二气体包括极性气体并帮助修复材料沉积在半导体掩模上。方法还包括以下步骤:激活修复工具,使修复工具与第一气体和第二气体相互作用,以将修复材料沉积在缺陷的位置处从而修复半导体掩模;从修复室中移除修复的半导体掩模。沉积的修复材料的尺寸小于约32nm。本发明还提供了用于掩模修复的耐用金属膜沉积。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201510569475.7 申请日 2015-09-09
授权公布号 CN105895508A 授权公告日 2016-08-24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 
地址 中国台湾新竹
发明人 黄彦恺 朱远志 
分类号 H01L21/027(2006.01)  主分类号 H01L21/027(2006.01)
国省代码 中国台湾 页数 17
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 台湾积体电路制造股份有限公司 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019.05.21 授权 授权
2016.09.21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20150909
2016.08.24 公开 公开
专利分析
关键词
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
相关专利
  • 热门期刊
  • 最新期刊
  • 期刊推荐
论文1v1指导