F1层不完全发育电离层模型及反演方法

发明人:
摘要:
本发明提供一种F1层不完全发育电离层模型及反演方法,包括下列步骤:步骤A:进行数据预处理,根据实测垂测图,确定当前电离层存在的层数,以及频率-虚高描迹信息,并根据描迹信息进行各层频点抽取;步骤B:进行分层处理,并根据各层描迹信息,首先对E层进行反演,在E层反演的基础上,反演F1层和F2层;步骤C:判断F1层是否充分发育,在反演计算时根据F2层实测描迹前端的频率-虚高数据,推测F1层的发育情况;根据F1层的发育情况按照相应的模型进行反演计算。本发明能够有效的反演被遮蔽的F1层参数,同样能够满足实测虚高与计算虚高均方根误差最小。<pb pnum="1" />
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN200910122586.8 申请日 2009-09-18
授权公布号 CN106134480B 授权公告日 2013-04-17
申请人 中国电子科技集团公司第二十二研究所 
地址 山东省青岛城阳仙山东路36号
发明人 柳文 李书苓 
分类号 G06F19/00(2011.01)  主分类号 G06F19/00(2011.01)
国省代码 山东 页数 11
代理机构 工业和信息化部电子专利中心
代理人 中国电子科技集团公司第二十二研究所 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019.09.10 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G06F 19/00授权公告日:20130417终止日期:20180918
2016.11.16 保密专利的解密 保密专利的解密申请日:20090918IPC(主分类):G06F 19/00
2013.04.17 保密专利专利权授予 保密专利专利权授予申请日:20090918
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