薄膜晶体管及其制备方法

申请人:
摘要:
本发明提供一种薄膜晶体管,它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层,作为栅极的导电薄膜层,作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层,以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层,在所述薄膜晶体管结构中,所述绝缘衬底层同时起到了衬底和绝缘薄膜的作用,大大简化了薄膜晶体管的制备工艺,降低了制备成本。本发明还提供制备所述薄膜晶体管的方法,该方法工艺简单、成本低廉,在大面积电子电路中有广阔的应用前景。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201610993713.1 申请日 2016-11-11
授权公布号 CN106298961A 授权公告日 2017-01-04
申请人 河南大学 
地址 河南省开封市金明区金明大道北段金明校区
发明人 张新安 蒋俊华 敖天勇 张朋林 张伟风 
分类号 H01L29/786(2006.01) H01L21/336(2006.01)  主分类号 H01L29/786(2006.01)
国省代码 河南 页数 9
代理机构 郑州德勤知识产权代理有限公司
代理人 河南大学 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019.09.13 授权 授权
2017.02.01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20161111
2017.01.04 公开 公开
专利分析
关键词
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
相关专利
  • 热门期刊
  • 最新期刊
  • 期刊推荐
论文1v1指导