一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器

摘要:
本发明提供一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器,其拓扑结构包括:电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感;通过半桥支路以及中点连接支路组成T字型的拓扑结构,并且半桥支路中的开关管均采用SiC‑MOSFET,由于SiC‑MOSFET具有较低的开关损耗和较高开关频率,使得本发明提供的T字型拓扑结构的电能转换效率提高,可以将相同直流电的电能,转换成更多的交流电的电能,减少了电能的浪费。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201910232397.X 申请日 2019-03-26
授权公布号 CN109873570A 授权公告日 2019-06-11
申请人 沈阳远大电力电子科技有限公司 
地址 辽宁省沈阳市经济技术开发区十六号街6-1号
发明人 周祖平  郑艳文  魏民  高飞 
分类号 H02M7/537(2006.01)I  主分类号 H02M7/537(2006.01)I
国省代码 页数
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 沈阳远大电力电子科技有限公司 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-07-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H02M 7/537
2019-06-11 公开 公开
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