一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法

申请人:
摘要:
一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法,包括沿中子产生方向依次设置有激光器控制器、激光器、光学聚焦系统、氘气气室、加速管、氚靶、中子探测器;激光控制器控制激光器,激光器输出脉冲激光,脉冲激光经过光学聚焦系统后缩小了激光束直径,聚焦后的激光入射到了氘气气室介质中,使氘气产生等离子体,氘气等离子体在加速管中加速,加速后轰击氚靶,中子探测器用于测量中子的产量。本发明会显著提高氘等离子体产生过程中的受控性和等离子体密度,最终提高种子源的产率,同时消除了高压电脉冲带来的不利影响。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201911376274.X 申请日 2019-12-27
授权公布号 CN111050457A 授权公告日 2020-04-21
申请人 西京学院 
地址 陕西省西安市长安区西京路1号
发明人 党宏涛 马欲飞 郑小海 刘福华 
分类号 H05H1/24 H05H3/06 G21G4/02  主分类号 H05H1/24
国省代码 页数
代理机构 西安智大知识产权代理事务所
代理人 刘国智 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-04-21 公开 公开
2020-05-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/24
专利分析
关键词
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
相关专利
  • 热门期刊
  • 最新期刊
  • 期刊推荐
论文1v1指导