分离栅极式闪存的制造方法

摘要:
一种分离栅极式闪存的制造方法,在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层,在硬罩幕上形成漏极开口与浮置栅开口,暴露第一导电层;在第一导电层上形成二复-氧化物层,去除一层及第一导电层,露出基底;在基底上形成漏极区,去除硬罩幕,以第二复-氧化物为罩幕蚀刻第一导电层形成浮置栅,再形成分离栅极氧化物层,第二复-氧化物层上形成导电层,在该导电层上形成控制栅,在浮置栅侧的基底形成源极区。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN01110212.8 申请日 2001-04-02
授权公布号 CN1378268A 授权公告日 2002-11-06
申请人 华邦电子股份有限公司 
地址 台湾新竹科学工业园区研新三路四号
发明人 黄智睦 蔡荣昱 任兴华 林淑惠 
分类号 H01L21/82 H01L21/8246  主分类号 H01L21/82
国省代码 中国台湾 页数 17
代理机构 北京集佳专利商标事务所
代理人 华邦电子股份有限公司 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2004.09.22 发明专利申请公布后的视为撤回
2001.11.21 实质审查的生效
2002.11.06 公开 公开
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