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一种纵向沟道SOI LDMOS单元
一种纵向沟道SOI LDMOS单元
申请人：
摘要：
本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。
基本信息
| 专利类型 | 实用型 | ||
| 申请(专利)号 | CN201020154946.0 | 申请日 | 2010-04-09 |
| 授权公布号 | CN201681942U | 授权公告日 | 2010-12-22 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||
| 发明人 | 张海鹏 张帆 苏步春 张亮 牛小燕 林弥 | ||
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) H01L29/06(2006.01) H01L29/10(2006.01) H01L29/41(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 国省代码 | 浙江 | 页数 | 6 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | ||
| 代理人 | 杭州电子科技大学 | ||
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