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一种逆导型SOI LIGBT器件单元
一种逆导型SOI LIGBT器件单元
申请人：
摘要：
本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本实用新型由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。
基本信息
| 专利类型 | 实用型 | ||
| 申请(专利)号 | CN201020221047.8 | 申请日 | 2010-06-08 |
| 授权公布号 | CN201804866U | 授权公告日 | 2011-04-20 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||
| 发明人 | 张海鹏 苏步春 张亮 张帆 牛小燕 林弥 | ||
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 国省代码 | 浙江 | 页数 | 9 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | ||
| 代理人 | 杭州电子科技大学 | ||
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