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摘要:
为了提高a-Si:H光电发射的量子效率,设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O,并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究,它的光谱响应复盖整个可见光区,长玻限在0.82um,知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关,在15V偏压下,积分灵敏度为30um/Lm,峰值量子效率为2.1%。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 夹心式a—Si:H光阴极
来源期刊 薄膜科学与技术 学科 工学
关键词 非晶硅 薄膜 光阴极 夹心式aSi:H 量子效率
年,卷(期) bmkxyjs_1991,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 59-62
页数 4页 分类号 TN103
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈元星 中国科学院电子所 1 0 0.0 0.0
2 海宇涵 中国科学院电子所 1 0 0.0 0.0
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1991(0)
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研究主题发展历程
节点文献
非晶硅
薄膜
光阴极
夹心式aSi:H
量子效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
薄膜科学与技术
双月刊
南京1601信箱43分箱
出版文献量(篇)
327
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