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用等离子体掺杂在硅中形成浅p^＋层
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文献信息
| 篇名 | 用等离子体掺杂在硅中形成浅p^＋层 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 氧化物半导体 等离子体 掺杂 硅 p层 | ||
| 年，卷（期） | 1994,（7） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 3-4 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN305.3 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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氧化物半导体
等离子体
掺杂
硅
p层
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期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
864
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