160W／20A,NPN／PNP型硅功率达林顿对管研制

• 作者: 白宏光 葛虹宇
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化背封 表面钝化 功率达林顿 晶体管
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.405

摘要

本文通过１６０ＯＷ／２０Ａ、ＮＰＮ／ＰＮＰ功率达林顿对管的研制，介绍ＦＨ３０９１ＲＨ３１０处延平面达林顿对管基本设计考虑，研制主要难点，采取的主要措施，研制结果与应用。