1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

• 作者: 曹茬 蔡根寿
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 硅栅 CMOS ASIC RIE 制造
• 年，卷（期）: 1996,（3）
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN405

摘要

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀