纳米SnO₂的氧缺陷研究——Mossbauer谱与PAT寿命谱

• 作者: 冯卫国
• 来源期刊: 中山大学研究生学刊：自然科学与医学版
• 学科: 化学
• 关键词: SnO₂ 纳米微粒 氧缺陷 穆斯堡尔谱 正电子湮没寿命谱
• 年，卷（期）: 1996,（3）
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O614.432

摘要

本文采用Mossbauer谱和PAT寿命谱对纳米SnO₂进行研究。结果表明,纳米SnO₂的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷,使Sn⁴⁺的离子特征下降,改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制,分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明,纳米SnO₂晶界缺陷处Sn原子附近的电子密度较大,结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。