Si基异质结构研究的新进展

• 作者: 余金中 成步文
• 来源期刊: 激光集锦
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 异质结构 外延生长
• 年，卷（期）: 1996,（4）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所	41	185	8.0	10.0