Si基Ge异质结构发光器件的研究进展

• 作者: 刘智 成步文 李传波 薛春来
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 工学
• 关键词: 发光器件 发光二极管 Ge Ge/Si量子点 Ge/SiGe量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 449-456
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.8|TN304.2
• 字数: 4684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20130604.0449

摘要

近年来,与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展.本文概述了Si基Ge异质结构发光器件的最新成果,如Ge/Si量子点发光二极管、Si衬底上的Ge发光二极管及激光器和Ge/SiGe多量子阱发光二极管,分别描述了这些器件的特点和增强其发光特性的途径.最后展望了Si基Ge异质结构发光器件的发展趋势,指出尽管Si基Ge异质结构发光器件获得了很大的发展,但是器件的发光效率仍然很低,离实用还有一定距离,还需要在材料和器件的结构方面有更多的创新.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘智	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	612	11.0	24.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	77	6.0	7.0
4	李传波	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	10	38	4.0	6.0