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螺旋偏压CVD装置1—4100HBiC
螺旋偏压CVD装置1—4100HBiC
作者:
一弓
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晶体
半导体
化学气相沉积
二氧化硅膜
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篇名
螺旋偏压CVD装置1—4100HBiC
来源期刊
等离子体应用技术快报
学科
工学
关键词
晶体
半导体
化学气相沉积
二氧化硅膜
年,卷(期)
1996,(1)
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11
页数
1页
分类号
TN304.055
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等离子体应用技术快报
主办单位:
核工业西南物理研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
四川省成都市432信箱
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创刊时间:
语种:
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