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利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
GaAs
干法刻蚀
电感耦合等离子体
SiCl4
光滑表面
热等离子体催化耦合重整CH4和CO2制合成气
等离子体
甲烷
二氧化碳
合成气
重整
催化
CH4/CO2等离子体重整反应的研究进展
等离子体
CH4/CO2重整反应
协同效应
合成气
等离子体 CO2-CH4 干重整反应技术进展
干重整反应
热等离子体
非热等离子体
等离子体催化
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SiCl4/CH4/Ar基等离子体中AlInGaP和GaAs的RIE
来源期刊 等离子体应用技术快报 学科 工学
关键词 离子蚀刻 等离子体 砷化镓 AlInGaP
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-5
页数 2页 分类号 TN304.2
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离子蚀刻
等离子体
砷化镓
AlInGaP
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