半导体量子阱中的激子束缚能

• 作者: 张跃
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 激子 束缚能 半导体
• 年，卷（期）: shwdzjshyy,（1）
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TN301

摘要

本文讨论了半导体量子阱内激子束缚能的计算方法，并推导出了在外电场作用下量子阱中激子束缚能的计算公式。本文推导出的理论结果可用于计算一般半导体材料量子阱内的激子束缚能。