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摘要:
本文讨论了半导体量子阱内激子束缚能的计算方法,并推导出了在外电场作用下量子阱中激子束缚能的计算公式。本文推导出的理论结果可用于计算一般半导体材料量子阱内的激子束缚能。
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文献信息
篇名 半导体量子阱中的激子束缚能
来源期刊 上海微电子技术和应用 学科 工学
关键词 量子阱 激子 束缚能 半导体
年,卷(期) 1997,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 11-13
页数 3页 分类号 TN301
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研究主题发展历程
节点文献
量子阱
激子
束缚能
半导体
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
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