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PC型HgCdTe探测器的记忆效应
PC型HgCdTe探测器的记忆效应
作者:
刘泽金
舒柏宏
蒋志平
陆启生
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PC型HgCdTe探测器
记忆效应
动态响应
退火
摘要:
通过测量PC型HgCdTe探测器的动态响应,发现在工作温度(77K)下,激光辐照后,探测器的电导率产生改变(记忆),电阻变化率提高,这种现象在工作温度下能长期保持.当升温(至室温)后,记忆功能消失.本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析.
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文献信息
篇名
PC型HgCdTe探测器的记忆效应
来源期刊
红外与毫米波学报
学科
工学
关键词
PC型HgCdTe探测器
记忆效应
动态响应
退火
年,卷(期)
1998,(4)
所属期刊栏目
研究简报
研究方向
页码范围
317-320
页数
4页
分类号
TN2
字数
3048字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1001-9014.1998.04.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陆启生
国防科技大学应用物理系
83
1040
18.0
29.0
2
刘泽金
国防科技大学应用物理系
42
499
12.0
21.0
3
舒柏宏
国防科技大学应用物理系
16
235
8.0
15.0
4
蒋志平
国防科技大学应用物理系
2
25
1.0
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参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2003(7)
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2004(5)
引证文献(2)
二级引证文献(3)
2005(3)
引证文献(1)
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2006(17)
引证文献(2)
二级引证文献(15)
2007(8)
引证文献(1)
二级引证文献(7)
2008(20)
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二级引证文献(17)
2009(8)
引证文献(1)
二级引证文献(7)
2010(5)
引证文献(0)
二级引证文献(5)
2011(10)
引证文献(2)
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2012(9)
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二级引证文献(8)
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引证文献(2)
二级引证文献(10)
2014(4)
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2015(18)
引证文献(3)
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2016(4)
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二级引证文献(3)
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2018(7)
引证文献(1)
二级引证文献(6)
2019(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
PC型HgCdTe探测器
记忆效应
动态响应
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
主办单位:
中国光学学会
中国科学院上海技术物理所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-9014
CN:
31-1577/TN
开本:
大16开
出版地:
上海市玉田路500号
邮发代号:
4-335
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
期刊文献
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红外与毫米波学报1998年第5期
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红外与毫米波学报1998年第3期
红外与毫米波学报1998年第2期
红外与毫米波学报1998年第1期
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