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摘要:
目前,微波低噪声放大器设计中采用的Rn-Gn噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳(Gs≠0)情况,其应用范围有限,特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计.本文对文献[1]提出的En-In噪声模型作了改进,使其不仅适用于高频、窄带,而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计.进而推导出放大器En-In噪声模型与Rn-Gn噪声模型的等价关系,给出放大器En-In噪声模型的测量方法及实测结果.
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文献信息
篇名 放大器En-In噪声模型的完善及其与Rn-Gn噪声模型的关系
来源期刊 通信学报 学科 工学
关键词 噪声模型 低噪声设计 谱相关系数 等价关系
年,卷(期) 1998,(2) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 0
页数 1页 分类号 TN91
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-436X.1998.02.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 戴逸松 吉林工业大学信息科学与工程系 23 366 8.0 19.0
2 徐建生 吉林工业大学信息科学与工程系 2 16 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
噪声模型
低噪声设计
谱相关系数
等价关系
研究起点
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期刊影响力
通信学报
月刊
1000-436X
11-2102/TN
大16开
北京市丰台区成寿路11号邮电出版大厦8层
2-676
1980
chi
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17
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85479
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