硅微电子技术物理极限的挑战

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 王阳元 韩汝琦
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅微电子技术 CMOS 基本物理极限 实际物理限制 量子电子器件
• 年，卷（期）: 1998,（11）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 77-84
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.11.017

摘要

本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论.其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的,而在实际发展过程中由于材料、结构、工艺技术及电路和系统方面的一系列具体因素产生的实际物理限制则是有可能突破的.同时还探讨了从传统硅微电子技术和新一代量子电子器件两方面突破实际物理限制的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子研究所	78	1128	15.0	32.0
2	刘晓彦	北京大学微电子研究所	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子研究所	38	261	10.0	14.0
4	康晋锋	北京大学微电子研究所	23	358	9.0	18.0