黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述

• 作者: 余晓艳 杨静 马鸿文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuInSe2 光电材料 晶体生长 生长方法 化合物半导体
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 96-102
• 页数: 7页
• 分类号: O782|TN304.26
• 字数: 4278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.020

摘要

Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余晓艳	中国地质大学材料科学与工程学院	27	200	8.0	13.0
2	马鸿文	中国地质大学材料科学与工程学院	146	2829	30.0	45.0
3	杨静	中国地质大学材料科学与工程学院	45	1000	17.0	31.0