氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因

• 作者: 任国浩 刘光煜 殷之文 沈定中 王绍华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PbF2晶体 300nm吸收带 起因 Ce3+离子杂质
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 253-257
• 页数: 5页
• 分类号: O785.6
• 字数: 3281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.009

摘要

在PbF2晶体的透射光谱中常存在一个300nm光吸收带,其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减.利用原子吸收光谱分析(AAS),发现具有300nm光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子Ca和Ba,但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象,排除了Ca和Ba是造成这一吸收现象的原因,而是认为Ce3+离子杂质的4f→5d跃迁是造成该吸收带的原因.氟化铅晶体中的微量Ce3+离子杂质来源于生产HF时所使用的天然矿物CaF2.通过对HF这一制备PbF2原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的300nm吸收带.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所	69	1195	20.0	33.0
2	沈定中	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	95	6.0	7.0
3	任国浩	中国科学院上海硅酸盐研究所	59	357	9.0	15.0
4	王绍华	中国科学院上海硅酸盐研究所	17	107	5.0	9.0
5	刘光煜	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	16	3.0	4.0