采用中性原子束的纳米制作

• 作者: Thyw.,JH 江舟
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 工学
• 关键词: 中性原子束 刻蚀 纳米制作 原子光学 电子器件
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 54-61
• 页数: 8页
• 分类号: TN405.98

摘要

我们综述中性原子刻蚀。ｎｍ大小的器件、大面积平行沉积和有效抗蚀剂的结合证实了原子作为刻蚀的元件大有希望。我们证明，用几种抗蚀剂，其中包括Ａｕ上的链烷硫醇盐的自组合单层和ＳｉＯ２上的烷基硅氧烷的自组织单层，以及从蒸汽沉积的“污染”抗蚀剂，把７０ｎｍ宽的器件从一个中性原子束转换到基体中。与光子和电子不同，具有亚稳态中的惰性气体原子具有易操作的内部状态结构，从而提出了以内能的光猝灭为基础的新型刻蚀方案的