InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

• 作者: 刘志刚 张之圣 王文生 胡明
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: InSb薄膜 真空蒸发 霍尔元件 电子迁移率 灵敏度
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 498-501
• 分类号: TN382|TN305.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.012

摘要

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜.研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响.室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104 cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级.制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω ,乘积灵敏度达90～150V/A.T.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	刘志刚	天津大学电子信息工程学院	38	320	9.0	16.0
3	张之圣	天津大学电子信息工程学院	57	580	15.0	21.0
4	王文生	天津大学电子信息工程学院	4	5	2.0	2.0