用InGaAs材料制作的2.6 μm光电探测器

• 作者: 潘青
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 InGaAs材料 晶格失配 组分渐变层
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 79-82
• 分类号: TN215
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.02.002

摘要

介绍了2.6 μm In0.82Ga0.18As/InP P-N异质结光电探测器,组分渐变层对调节InP衬底与In0.82Ga0.18As之间的2%的晶格失配是有效的.在2.1 μm～2.6 μm区域,量子效率为70%～75%;室温下约-2 V时,Id=3.5 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘青		1	13	1.0	1.0