MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究

• 作者: 孙小玲 徐大鹏 李国华 李建斌 杨辉 王占国 王玉田 郑联喜
• 来源期刊: 中国科学(A辑)
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方相 GaN 六角相含量 热退火
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 444-449
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.1999.05.007

摘要

采用高温热退火的方法,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化.报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征.在GaN/GaAs之间存在一个界面层,高温退火时,来自界面层的TOB,LOB声子的强度降低,而来自六角相的E2声子增强,说明六角相含量增加.样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因.在较低的温度下,六角相含量没有明显变化,而且与退火时间无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
4	李国华	中国科学院半导体研究所	25	99	5.0	9.0
5	孙小玲	中国科学院半导体研究所	5	20	2.0	4.0
6	徐大鹏	中国科学院半导体研究所	11	77	4.0	8.0
7	李建斌	中国科学院半导体研究所	2	1	1.0	1.0
8	郑联喜	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0