Si3N4陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理

• 作者: 张其土
• 来源期刊: 南京化工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 动力学 氧化
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.758.12
• 字数: 3281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.1999.05.003

摘要

采用氧化后再氧化的实验方法,通过对Si3N4陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了Si3N4陶瓷材料的氧化机理.结果表明,Si3N4陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(ΔW)2=Kpt .提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4氧化过程中的控制步骤;并认为烧结添加剂或杂质等对Si3N4陶瓷材料氧化速度的影响,是通过改变氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张其土	南京化工大学材料科学与工程学院	9	93	5.0	9.0