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Swift Heavy Ion Irradiation Induced Photolunimescence from C—doped SiO2 Thin Films
Swift Heavy Ion Irradiation Induced Photolunimescence from C—doped SiO2 Thin Films
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摘要：
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SiO2/SiO2复合材料高温介电性能演变规律及温度特性研究
透波材料
有效媒质理论
介电系数
介电损耗
采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料
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颗粒尺寸
反应动力学
纳米SiO2复合材料研究进展
SiO2
复合材料
制备
研究
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Swift Heavy Ion Irradiation Induced Photolunimescence from C—doped SiO2 Thin Films | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 快重离子 辐照 掺碳二氧化硅薄膜 光致发光 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 37 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O484.41 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
快重离子
辐照
掺碳二氧化硅薄膜
光致发光
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研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
出版文献量（篇）
1640
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