短周期超晶格能带的赝势法计算

• 作者: 杨晓峰 温廷敦
• 来源期刊: 华北工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 能带 经验赝势 形状因子
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 科学论文
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.1999.01.009

摘要

目的研究短周期(GaAs)n (AlAs)n超晶格能带,通过能带了解超晶格红外光吸收性质.方法用赝势法计算超晶格能带,比较不同(GaAs)n(AlAs)n超晶格能隙随n变化的关系.结果计算表明n≤5时(GaAs)m(AlAs)n为间接能隙半导体以及能带间存在大量微带和带间交叉.结论超晶格可以用来作红外波吸收材料;相同的赝势形状因子在不同能带计算方法下给出的结果有较大差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温廷敦	华北工学院理学系	17	118	4.0	10.0
2	杨晓峰	华北工学院理学系	19	40	4.0	6.0