高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

• 作者: 刘卫 张立德 王世兴
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 88-92
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.02.002

摘要

采用全自动多功能内耗测试仪(MFIFA),对高Tc氧化物La2CuO4+δ的低频内耗作了细致的研究.发现La2CuO4+δ在160K～430K温区有三个弛豫峰p1、p2、p3,并由变频实验求出它们的驰豫激活能.在激活能分析基础上,我们认为:p1、p2峰源于氧空位的驰豫跃迁,p3峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
2	王世兴	中国科学院固体物理研究所	4	60	2.0	4.0
3	刘卫	中国科技大学内耗与固体缺陷开放研究实验室	4	66	3.0	4.0