无杂质空穴扩散法研制可调InGaAs/InP激光器

• 作者: 王永晨 赵杰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 分立电极激光器 延伸光腔 无杂质空穴扩散
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 111-114
• 分类号: TN248.4|TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.02.011

摘要

用无杂质空穴扩散(IFVD)法研制了延伸光腔分立电极InGaAs/InP半导体激光器.激光器材料的光发光谱说明由IFVD法可以造成量子阱材料带隙蓝移(30～40)nm.材料带隙蓝移量与IFVD处理中的退火温度和退火时间有关,表面SiO2厚度亦有一定影响.延伸光腔波导损失较低,由此方法制作的分立电极激光器的阈值电流随延伸光腔部分所加的调制电流而变化,变化的阈值电流可从40 mA降至30 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰		40	171	8.0	11.0
2	王永晨		16	24	3.0	4.0