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X射线透视对MOS电容性能的影响
X射线透视对MOS电容性能的影响
作者:
李斌
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
X射线
MOS电容
电子元器件
摘要:
利用SOFRONBST-1505C型X光机,对三种MOS电参0、28受X射线照射后的平带电压的漂移量进行测试和分析,从而分析X射一辐射后对MOS电容器件的影响。
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篇名
X射线透视对MOS电容性能的影响
来源期刊
空军电讯工程学院学报
学科
工学
关键词
X射线
MOS电容
电子元器件
年,卷(期)
kjdxgcxyxb_1999,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
64-66
页数
3页
分类号
TM53
字数
语种
DOI
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李斌
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X射线
MOS电容
电子元器件
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研究来源
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空军电讯工程学院学报
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季刊
ISSN:
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创刊时间:
语种:
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271
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