表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响

• 作者: 徐静平 李春霞 邹晓 黎沛涛
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 锗金属氧化物半导体 氮化氧化钛铪 表面钝化 界面层
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1134-1136,1140
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.5|TN386.1
• 字数: 2222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.016

摘要

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质.研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	邹晓	江汉大学机电与建筑工程学院	18	47	5.0	6.0