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摘要:
给出了In-BiCaVIG晶体的磁滞回线,详细分析了磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响.当所测磁场信号为交变量时,磁滞的影响主要是相位延迟,对幅度及频谱分布影响较小;饱和效应不仅使响应幅值减小,同时还导致明显的频谱变化.
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文献信息
篇名 磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响
来源期刊 中国激光 学科 工学
关键词 磁光光纤传感器 磁滞特性 磁饱和效应 In-BiCaVIG晶体
年,卷(期) 1999,(6) 所属期刊栏目 实验技术与元件
研究方向 页码范围 511-514
页数 分类号 TN2
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-7025.1999.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖延彪 清华大学电子工程系 101 1959 25.0 39.0
2 孟洲 国防科技大学应用物理系 62 763 17.0 24.0
3 曹动 国防科技大学应用物理系 4 57 4.0 4.0
4 倪明 国防科技大学应用物理系 53 712 14.0 24.0
5 胡永明 清华大学电子工程系 40 282 9.0 15.0
6 陈哲 清华大学电子工程系 11 61 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁光光纤传感器
磁滞特性
磁饱和效应
In-BiCaVIG晶体
研究起点
研究来源
研究分支
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1974
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