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摘要:
利用扫描电子显微镜观察GaAs外延层及IR-LED芯片的表面,测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化,讨论了GaAs红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响. 结果显示,芯片表面玷污、划伤,电极磨损,使输出辐射强度降低.
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文献信息
篇名 GaAs红外发光管芯片的表面性质
来源期刊 厦门大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 GaAs红外发光二极管 芯片 表面性质
年,卷(期) 1999,(5) 所属期刊栏目 物理学·技术科学
研究方向 页码范围 682-686
页数 5页 分类号 O472|O475
字数 1854字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.05.008
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs红外发光二极管
芯片
表面性质
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
厦门大学学报(自然科学版)
双月刊
0438-0479
35-1070/N
大16开
福建省厦门市厦门大学囊萤楼218-221室
34-8
1931
chi
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