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放电等离子超快速烧结 SiC-Al2O3纳米复相陶瓷
放电等离子超快速烧结 SiC-Al2O3纳米复相陶瓷
作者:
DIAZ DE LA TORRE Sebastian
宫本大树
洪金生
王宏志
高濂
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
纳米碳化硅复相陶瓷
放电等离子烧结
超快速烧结
摘要:
本文介绍用非均相沉淀法制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体经放电等离子超快速烧结得到晶内型的纳米复相陶瓷,超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与热压烧结相比,可降低烧结温度200℃以上.力学性能研究结果表明,在1450℃超快速烧结得到的纳米复相陶瓷的抗弯强度高达1000MPa,维氏硬度为 19GPa,断裂韧性也比Al2O3有所提高.TEM像显示纳米SiC颗粒大多分布在Al2O3母体晶粒内,而断裂表面的SEM像表明,穿晶断裂是其主要的断裂模式,这是所制备的纳米复相陶瓷力学性能大幅提高的主要原因.
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热压烧结
放电等离子脉冲烧结
Al2O3-SrFe12O19复相陶瓷
TiAl-Al2O3纳米粉体的机械活化-放电等离子原位烧结
机械活化
放电等离子烧结
TiAl
纳米材料
放电等离子烧结制备AlON陶瓷
AlON
陶瓷
放电等离子烧结
内容分析
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
放电等离子超快速烧结 SiC-Al2O3纳米复相陶瓷
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
纳米碳化硅复相陶瓷
放电等离子烧结
超快速烧结
年,卷(期)
1999,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
55-60
页数
分类号
TB3
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
高濂
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
165
5315
44.0
64.0
2
王宏志
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
31
660
11.0
25.0
3
洪金生
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
3
153
3.0
3.0
4
宫本大树
3
130
3.0
3.0
5
DIAZ DE LA TORRE Sebastian
2
91
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(2)
节点文献
引证文献
(44)
同被引文献
(37)
二级引证文献
(811)
1998(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1999(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2000(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2001(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2002(17)
引证文献(11)
二级引证文献(6)
2003(28)
引证文献(6)
二级引证文献(22)
2004(52)
引证文献(5)
二级引证文献(47)
2005(55)
引证文献(3)
二级引证文献(52)
2006(52)
引证文献(5)
二级引证文献(47)
2007(53)
引证文献(3)
二级引证文献(50)
2008(81)
引证文献(3)
二级引证文献(78)
2009(56)
引证文献(3)
二级引证文献(53)
2010(54)
引证文献(0)
二级引证文献(54)
2011(46)
引证文献(1)
二级引证文献(45)
2012(40)
引证文献(0)
二级引证文献(40)
2013(48)
引证文献(0)
二级引证文献(48)
2014(50)
引证文献(1)
二级引证文献(49)
2015(38)
引证文献(0)
二级引证文献(38)
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引证文献(0)
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2020(8)
引证文献(0)
二级引证文献(8)
研究主题发展历程
节点文献
纳米碳化硅复相陶瓷
放电等离子烧结
超快速烧结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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