IGBT极限电流与通态极限功耗的研究

• 作者: 张立 李山
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘门双极晶体管 极限电流与极限功耗 无破坏测试
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 47-51
• 分类号: TN386.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.1999.06.010

摘要

重点对绝缘门双极晶体管(IGBT)的极限电流与极限功耗进行了研究.在IGBT输出特性上,过电流状态下,因其功耗过大引起温度升高导致热击穿以及在过电流时由于IGBT导通时间延长引起的热击穿都可造成IGBT损坏.文章从器件模型理论出发,阐述了IGBT损坏前的两种极限参数:过电流时极限能耗参数(x)及过电流时在输出特性上通态功耗极限参数PM.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立	天津大学电气自动化与能源工程学院	30	157	6.0	11.0
2	李山	天津大学电气自动化与能源工程学院	4	34	3.0	4.0