用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析

• 作者: 吴丽清 庄宝煌 张志鹏 朱梓忠 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 GAT 基区穿通电压 频率 雪崩击穿电压 电流增益 兼容性
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 831-836
• 分类号: TN323.4|TN323.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.06.007

摘要

通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄宝煌	厦门大学物理学系	8	13	2.0	3.0
2	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
3	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
4	张志鹏	厦门大学物理学系	7	14	2.0	3.0
5	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0
6	吴丽清	厦门大学物理学系	4	5	2.0	2.0