等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究

• 作者: 张仲麟 袁力江 雷明凯 马腾才
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体源离子渗氮 硼碳氮薄膜
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 189
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.033

摘要

采用等离子体源离子渗氮,即低能(1～3 keV)、超大剂量(1019～1020ions.cm-2)氮离子注入--同步热扩散技术,在300～500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜. 俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜. 300℃渗氮的薄膜由sp2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成. 较高的渗氮工艺温度促进sp3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室	81	688	15.0	21.0
2	雷明凯	大连理工大学材料工程系	115	712	14.0	19.0
6	袁力江	大连理工大学材料工程系	6	31	4.0	5.0
7	张仲麟	大连理工大学材料工程系	2	18	2.0	2.0