HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成

• 作者: 周均铭 李永康 王瑞忠 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅合金 红外探测器 MOS读出电路 单片集成
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 77-80
• 分类号: TN21
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.020

摘要

为了验证P+-GexSi1-x/p-Si HIP红外探测器同MOS信号读出电路单片集成的可行性,对P+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射(HIP)红外深测器与CMOS读出电路的工艺兼容性做了分析,提出了一个可行的工艺方案.还采用3μm NMOS工艺,制备了将P+-GexSi1-x/p-Si HIP红外探测器与NMOS信号读出开关集成在一起的实验性芯片.在77K温度下,分子束外延(MBE)生长的P+-GexSi1-x/p-Si HIP红外探测器(无介质腔和抗反射层)的黑体探测度为11Mm.Hz1/2/W.实现了77K下用NMOS开关对探测器输出信号的选择读出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
2	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
3	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
4	王瑞忠	清华大学微电子学研究所	3	1	1.0	1.0
5	李永康	中国科学院物理研究所	3	8	1.0	2.0