一种IC缺陷轮廓建模的新方法

• 作者: 姜晓鸿 徐国华 赵天绪 郝跃
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: IC缺陷模型 分段线性插值 IC故障概率 IC成品率
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 46-48
• 分类号: TN91
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.014

摘要

现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差.本文利用分段线性插值的思想直接对真实缺陷的方向尺寸进行逼近,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型.实验结果表明:与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了较大的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	徐国华	西安电子科技大学微电子研究所	96	1922	25.0	40.0
3	赵天绪	西安电子科技大学微电子研究所	23	88	6.0	8.0
4	姜晓鸿	西安电子科技大学微电子研究所	6	23	3.0	4.0