加入支撑墙的FED的电场分布及电子轨迹数值模拟

• 作者: 于宏宇 刘珩 罗淑云 葛常锋
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: FED(场致发射显示器) 支撑墙 二次电子发射
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN102
• 字数: 1493字
• 语种: 中文

摘要

FED内部真空中的电场和电子运动受到支撑结构的影响,为此采用了有限元法计算带有介质支撑墙的FED电场分布;采用龙格-库塔法计算该空间电子轨迹.并且在考虑了介质支撑墙上的二次电子发射之后,定性的分析了空间电场电子轨迹及墙上的电荷积累情况.得出了支撑墙对FED电子轨迹影响的数值结果,对器件的设计提出了建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗淑云	清华大学电子工程系	13	79	5.0	8.0
2	于宏宇	清华大学电子工程系	4	9	2.0	2.0
3	刘珩	清华大学电子工程系	3	8	2.0	2.0
4	葛常锋	清华大学电子工程系	3	7	2.0	2.0