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摘要:
采用丘克拉斯基法生长了3块名义掺杂浓度分别为0.05%、0.5%、1%的ZnWO4:Yb3+晶体,根据X射线粉末衍射数据计算了晶胞参数,由密度实验确定了Yb3+ 是以置换Zn2+离子的方式进入晶格.观察了组分过冷和位错蚀坑,研究了不同掺杂浓度晶体的(010)晶面上的位错类型、连接方式,计算了位错密度.发现随着掺杂浓度的增加,位错密度也增大,必须控制合理的生长工艺条件以减少位错密度,提高晶体质量.对晶体的吸收光谱进行了测试,并对晶体的激光性能进行了讨论.
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文献信息
篇名 Yb:ZW单晶生长缺陷和光谱性能
来源期刊 北京工业大学学报 学科 工学
关键词 ZnWO4:Yb3+单晶 晶胞参数 位错 吸收光谱
年,卷(期) 2000,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 88-92
页数 5页 分类号 TN244
字数 4564字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0254-0037.2000.z1.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘伟 北京工业大学材料科学与工程学院 84 488 12.0 17.0
2 臧竞存 北京工业大学材料科学与工程学院 39 605 12.0 24.0
3 邹玉林 北京工业大学材料科学与工程学院 33 269 10.0 15.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnWO4:Yb3+单晶
晶胞参数
位错
吸收光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京工业大学学报
月刊
0254-0037
11-2286/T
大16开
北京市朝阳区平乐园100号
2-86
1974
chi
出版文献量(篇)
4796
总下载数(次)
21
总被引数(次)
40595
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