一种制备SiO2膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层

• 作者: 傅鹤鉴 唐琳 彭志坚 谢茂浓
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚硅烷 氧等离子体处理 SiO2薄膜 氧化物电荷
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 873-878
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2000.06.015

摘要

作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化；XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～103．5eV，硅氧原子比为1：1．99；激光椭园偏振仪测得折射率在1．30～1．55范围；MOS电容的高频C-V特性曲线表明，平带电压为正，计算得氧化物电荷的电性为负，密度为6．6×1010～8．8×1011cm-2，其大小可以通过改变处理条件进行控制；BT实验表明，可动电荷密度为(3～6)×1010cm-2，这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐琳	四川大学物理系	131	1543	20.0	33.0
2	谢茂浓	四川大学物理系	11	57	3.0	7.0
3	傅鹤鉴	四川大学化学系	10	54	5.0	7.0
4	彭志坚	四川大学化学系	5	24	3.0	4.0