多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性

• 作者: 吴荣汉 杜云 陈弘达 陈志标 黄永箴
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱 激子吸收 光调制器 SEED
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件
• 页码范围: 143-146
• 页数: 4页
• 分类号: TN256|TN305
• 字数: 3266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2000.02.011

摘要

我们分析了GaAs/AlGaAs半导体多量子阱(MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性,优化设计了多量子阱结构,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件,并对器件的光调制特性进行了测量与研究.实验得出的结论与理论计算相符合,常通型器件对比度约为10∶1;常关型器件对比度约为4∶1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所	47	229	9.0	12.0
2	杜云	中国科学院半导体研究所	21	67	5.0	7.0
3	陈弘达	中国科学院半导体研究所	82	341	10.0	13.0
4	吴荣汉	中国科学院半导体研究所	22	159	8.0	12.0
5	陈志标	中国科学院半导体研究所	1	4	1.0	1.0