硅二极管I-V特性及二次击穿计算

• 作者: 余稳 蔡新华
• 来源期刊: 常德师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 二极管 I-V特性 二次击穿 时域有限差分
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 31-33
• 分类号: TN31
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6164.2000.03.011

摘要

利用时域有限差分方法,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组.得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余稳	常德师范学院电子学研究所	7	86	5.0	7.0
2	蔡新华	常德师范学院电子学研究所	4	42	3.0	4.0