MOS控制晶闸管的最大可关断电流

• 作者: 张鹤鸣 戴显英 林大松 王伟 解勇
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOS控制晶闸管 最大可关断电流 电流放大系数
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 133-137
• 页数: 5页
• 分类号: TN34|TN386.1
• 字数: 3760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.02.001

摘要

建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式.在该关系式中,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关.另外,基于MOS控制晶闸管的仿真模型,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系.解析与模拟分析结果符合较好.结果表明,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
3	王伟	西安电子科技大学微电子研究所	83	505	12.0	18.0
4	林大松	西安电子科技大学微电子研究所	5	0	0.0	0.0
5	解勇	西安电子科技大学微电子研究所	2	12	1.0	2.0