电源管理芯片中热关断电路的设计

• 作者: 童乔凌 邹雪城 郑朝霞 陈卫洁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 电源管理芯片 热关断 迟滞 BiCMOS工艺 负温度特性
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 152-154
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.11.045

摘要

为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术:利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性.在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路:电路结构非常紧凑,采用1.5μm的P衬N阱数模混合1P2M BiCMOS工艺.Hspice仿真结果表明:当温度超过150℃时,电路输出发生翻转,禁止芯片工作;当温度降至115℃时,恢复芯片工作.该电路的最大工作电流不超过150μA,能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,适用于各种电源管理芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	童乔凌	华中科技大学电子科学与技术系	28	106	7.0	8.0
3	郑朝霞	华中科技大学电子科学与技术系	33	235	9.0	13.0
4	陈卫洁	华中科技大学电子科学与技术系	4	37	4.0	4.0